Bir telefonun şarj sırasında ellenemeyecek kadar ısınması ya da harici diskin uzun bir kabloyla bağlandığında bağlantı kopartması, çoğu zaman cihazın değil kablonun sorunudur. Isının kaynağı fizik olarak çok basit bir denkleme dayanır: P = I²R. Yani kablonun direnci ne kadar yüksekse, aynı akımda açığa çıkan ısı gücü karesel olarak artar. Kablo uzadıkça direnç uzunlukla doğrusal büyür, ince iletken kullanıldığında ise bu büyüme çok daha erken kritik seviyeye gelir.
Bakır iletkenin direnci, kesit alanıyla ters orantılıdır. AWG ölçeğinde her 3 numara artış, kesiti kabaca yarıya indirir ve direnci iki katına çıkarır. Yaygın kablo kesitlerinin metre başına yaklaşık dirençleri şöyledir:
| İletken kesiti | Direnç (yaklaşık, Ω/m) | Tipik kullanım |
|---|---|---|
| 28 AWG | 0,21 | Sadece veri hattı, ucuz şarj kabloları |
| 24 AWG | 0,084 | 1–1,5 A şarj |
| 22 AWG | 0,053 | 2–2,4 A şarj |
| 20 AWG | 0,033 | 3 A ve üzeri, USB-C PD |
Hesabı bir örnekle görmek en açıklayıcısı: 2 metrelik bir kabloda akım gidiş ve dönüş olmak üzere 4 metre bakırdan geçer. 28 AWG ile bu 0,84 Ω demektir. 2 A çekildiğinde gerilim düşümü 1,68 V, kablo üzerinde harcanan güç ise yaklaşık 3,4 W olur. Bu güç, kablonun içinde ve konektör lehim noktalarında ısıya dönüşür. Aynı senaryo 20 AWG ile kurulduğunda direnç 0,13 Ω'a, kayıp güç 0,5 W'a düşer — yani yedi kat daha az ısı.
İkinci ve daha sinsi etki şudur: gerilim düşümü nedeniyle cihazın girişine 5 V değil 3,3 V ulaşır. Şarj devresi hedeflediği gücü yakalamak için akımı yükseltir, akım arttıkça kayıp yine karesel büyür ve sistem kendini besleyen bir ısınma döngüsüne girer. Kaliteli kabloların kılıfında kullanılan aşırı ısıtma dirençli ısı yalıtımı bu döngüde erimeyi geciktirir, ama sorunun kaynağını ortadan kaldırmaz.